半導(dǎo)體發(fā)光元件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110662667.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113394314A 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號 CN113394314A 申請公布日 2021-09-14
分類號 H01L33/06（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭錦堅;高默然;畢京鋒;范偉宏;曾家明;張成軍 申請（專利權(quán)）人 廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉暢
地址 361012福建省廈門市海滄區(qū)蘭英路99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，所述半導(dǎo)體發(fā)光元件從下至上依次包括：襯底、n型半導(dǎo)體層、摻雜量子阱層、老化光衰控制層以及p型半導(dǎo)體層，所述老化光衰控制層從下至上依次包括具有至少一層非摻雜的壘層的非摻雜量子阱層、第一光衰控制層和/或第二光衰控制層。本發(fā)明通過在摻雜量子阱層和p型半導(dǎo)體層之間增加老化光衰控制層，可以降低長期老化過程中摻雜量子阱層的Si與p型半導(dǎo)體層的Mg擴散相接觸的幾率，改善半導(dǎo)體發(fā)光元件，尤其是紫外半導(dǎo)體發(fā)光元件的老化發(fā)光衰減性能，使得1000小時老化光衰由30％以上（甚至50％以上）下降至10％以內(nèi)。