LED外延結(jié)構(gòu)以及LED芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110736652.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113471342A 公開（公告）日 2021-10-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN113471342A 申請(qǐng)公布日 2021-10-01
分類號(hào) H01L33/10（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李森林;王亞宏;楊美佳;畢京鋒;范偉宏 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉暢
地址 361012福建省廈門市海滄區(qū)蘭英路99號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種LED外延結(jié)構(gòu)以及LED芯片，其中，所述LED外延結(jié)構(gòu)從下至上依次包括：襯底、緩沖層、分布式布拉格反射鏡層以及半導(dǎo)體層，所述分布式布拉格反射鏡層包括低折射率膜層和位于該低折射率膜層上的高折射率膜層，且所述高折射率膜層的厚度薄于所述高折射率膜層的光學(xué)厚度。本發(fā)明通過調(diào)整所述高折射率膜層的厚度可以減小所述分布式布拉格反射鏡層的光吸收，提高分布式布拉格反射鏡層的反射率和出光強(qiáng)度。