紫外半導(dǎo)體發(fā)光元件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110661380.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113410345A 公開（公告）日 2021-09-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN113410345A 申請(qǐng)公布日 2021-09-17
分類號(hào) H01L33/04（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/14（2010.01）I;A61L2/10（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭錦堅(jiān);高默然;畢京鋒;范偉宏;曾家明;張成軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉暢
地址 361012福建省廈門市海滄區(qū)蘭英路99號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種紫外半導(dǎo)體發(fā)光元件，從下至上依次包括：襯底、n型半導(dǎo)體層、老化漏電控制層、量子阱層以及p型半導(dǎo)體層，其中所述老化漏電控制層為第一結(jié)構(gòu)層與第二結(jié)構(gòu)層組成的超晶格結(jié)構(gòu)。本發(fā)明通過(guò)在n型半導(dǎo)體層和量子阱層之間增加具有超晶格結(jié)構(gòu)的老化漏電控制層，能夠改善紫外半導(dǎo)體發(fā)光元件的老化漏電性能。