深紫外發(fā)光元件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110661377.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113410348A 公開（公告）日 2021-09-17
申請公布號 CN113410348A 申請公布日 2021-09-17
分類號 H01L33/06（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;A61L2/10（2006.01）I;A61L9/20（2006.01）I;C02F1/32（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭錦堅;高默然;畢京鋒;范偉宏;曾家明;張成軍 申請（專利權(quán)）人 廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉暢
地址 361012福建省廈門市海滄區(qū)蘭英路99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種深紫外發(fā)光元件及其制備方法，其中所述深紫外發(fā)光元件從下至上依次包括：襯底、n型半導(dǎo)體層、量子阱層以及p型半導(dǎo)體層，其中所述量子阱層包括摻雜量子阱層和位于所述摻雜量子阱層上的非摻雜量子阱層。本發(fā)明通過設(shè)置雙量子阱結(jié)構(gòu)，提升發(fā)光效率和強(qiáng)度，且由于摻雜量子阱層和p型半導(dǎo)體層中間隔著非摻雜量子阱層，可以減少高溫或長期使用條件下Mg和Si遷移導(dǎo)致的發(fā)光衰減現(xiàn)象，使得1000小時的發(fā)光衰減從30％降低到10％以內(nèi)。