深紫外發(fā)光元件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110662668.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113394315A 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號 CN113394315A 申請公布日 2021-09-14
分類號 H01L33/06;H01L33/12;H01L33/20;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭錦堅;高默然;畢京鋒;范偉宏;曾家明;張成軍 申請（專利權(quán)）人 廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉暢
地址 361012 福建省廈門市海滄區(qū)蘭英路99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種深紫外發(fā)光元件及其制備方法，其中，所述深紫外發(fā)光元件包括：襯底、依次形成于所述襯底上的第一緩沖層、Al極性面修飾層、第二緩沖層、合并層、n型半導(dǎo)體層、量子阱層以及p型半導(dǎo)體層。本發(fā)明通過形成Al極性面修飾層，減少了晶格失配，降低了深紫外發(fā)光元件的位錯和缺陷密度，進而提升了深紫外發(fā)光元件的發(fā)光效率。