深紫外發(fā)光元件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110661376.7 申請日 -
公開（公告）號 CN113394316A 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號 CN113394316A 申請公布日 2021-09-14
分類號 H01L33/12（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭錦堅;高默然;畢京鋒;范偉宏;曾家明;張成軍 申請（專利權(quán)）人 廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉暢
地址 361012福建省廈門市海滄區(qū)蘭英路99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種深紫外發(fā)光元件及其制備方法，其中，所述深紫外發(fā)光元件從下至上依次包括：襯底、多重緩沖層、合并層、n型半導(dǎo)體層、量子阱層以及p型半導(dǎo)體層，其中所述多重緩沖層包括第一緩沖層以及位于所述第一緩沖層上的第二緩沖層，且所述第二緩沖層包括生長溫度呈梯度變化的至少兩層結(jié)構(gòu)，且所述第二緩沖層的生長溫度為900℃～1200℃。本發(fā)明通過形成多重緩沖層結(jié)構(gòu)，可有效釋放合并層與襯底間的晶格失配應(yīng)力和熱應(yīng)力，以減少深紫外發(fā)光元件的缺陷和位錯密度，進(jìn)而提升深紫外發(fā)光元件的發(fā)光效率至5％～10％。