高壓倒裝發(fā)光二極管芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202023297763.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN214411235U 公開(kāi)（公告）日 2021-10-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN214411235U 申請(qǐng)公布日 2021-10-15
分類號(hào) H01L33/48（2010.01）I;H01L33/60（2010.01）I;H01L33/62（2010.01）I;H01L27/15（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 趙進(jìn)超;李超;馬新剛;吳珊 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 蔡純;楊思雨
地址 310018浙江省杭州市杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)白楊街道10號(hào)大街300號(hào)1幢1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開(kāi)了一種高壓倒裝發(fā)光二極管芯片，包括：襯底；多個(gè)芯片單元，位于襯底上，相鄰兩個(gè)芯片單元被橋接凹槽分隔；橋接層，覆蓋每個(gè)芯片單元和橋接凹槽，橋接層具有每個(gè)芯片單元分別對(duì)應(yīng)的第一通孔與第二通孔；P電極、N電極、串聯(lián)電極，其中，每個(gè)芯片單元包括：N型半導(dǎo)體層；有源層；P型半導(dǎo)體層；第一保護(hù)電極；以及第二保護(hù)電極，多個(gè)芯片單元包括第一芯片單元和第二芯片單元，P電極經(jīng)相應(yīng)第二通孔與第一芯片單元的第二保護(hù)電極相連，N電極經(jīng)相應(yīng)第一通孔與第二芯片單元的第一保護(hù)電極相連，每個(gè)串聯(lián)電極經(jīng)相應(yīng)橋接凹槽、第一通孔以及第二通孔將相鄰兩個(gè)芯片單元中的一個(gè)的第一保護(hù)電極與另一個(gè)的第二保護(hù)電極相連。