深紫外發(fā)光元件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110662673.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113394319A 公開（公告）日 2021-09-14
申請公布號 CN113394319A 申請公布日 2021-09-14
分類號 H01L33/14;H01L33/06;H01L33/00 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭錦堅;高默然;畢京鋒;范偉宏;曾家明;張成軍 申請（專利權(quán)）人 廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉暢
地址 361012 福建省廈門市海滄區(qū)蘭英路99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種深紫外發(fā)光元件及其制備方法，其中所述深紫外發(fā)光元件包括：襯底和位于所述襯底上的外延層，所述外延層從下至上依次包括：第一n型半導(dǎo)體層、阻攔層、量子阱層以及P型半導(dǎo)體層，其中，所述阻攔層包括至少兩層空穴阻攔層以及每兩層相鄰的空穴阻攔層之間的第二n型半導(dǎo)體層。本發(fā)明通過在所述第一n型半導(dǎo)體層與量子阱層之間增加阻攔層，可以調(diào)控量子阱層中的電子和空穴波函數(shù)的分布，減少p型空穴往第一n型半導(dǎo)體層擴(kuò)散躍遷，同時，可以減輕量子阱層的電子和空穴的濃度差異程度，提升量子阱層中電子和空穴的電子波函數(shù)的交疊和復(fù)合幾率，進(jìn)而提升深紫外發(fā)光元件的量子轉(zhuǎn)換效率，使得深紫發(fā)光元件的發(fā)光效率提升至5％～10％。