深紫外發(fā)光元件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110662666.3 申請日 -
公開（公告）號 CN113410350A 公開（公告）日 2021-09-17
申請公布號 CN113410350A 申請公布日 2021-09-17
分類號 H01L33/12（2010.01）I;H01L33/06（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;A61L2/10（2006.01）I;A61L9/20（2006.01）I;C02F1/32（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 鄭錦堅;高默然;畢京鋒;范偉宏;曾家明;張成軍 申請（專利權(quán)）人 廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉暢
地址 361012福建省廈門市海滄區(qū)蘭英路99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種深紫外發(fā)光元件及其制備方法，其中，所述深紫外發(fā)光元件包括：襯底、依次形成于所述襯底上的第一緩沖層、N極性面修飾層、第二緩沖層、合并層、n型半導(dǎo)體層、量子阱層以及p型半導(dǎo)體層。本發(fā)明通過形成N極性面修飾層，減少了晶格失配，降低了深紫外發(fā)光元件的缺陷和位錯密度，提升了所述深紫外發(fā)光元件的發(fā)光效率。