功率半導體器件結殼熱阻狀態(tài)監(jiān)測方法、設備、存儲介質

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011059283.9 申請日 -
公開（公告）號 CN112327125A 公開（公告）日 2021-02-05
申請公布號 CN112327125A 申請公布日 2021-02-05
分類號 G01R31/26(2014.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 王博;孟金磊;鄧海濤 申請（專利權）人 北京ABB電氣傳動系統(tǒng)有限公司
代理機構 北京市金杜律師事務所 代理人 黃倩
地址 100015北京市朝陽區(qū)酒仙橋北路甲10號D區(qū)1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開的實施例涉及功率半導體器件結殼熱阻狀態(tài)監(jiān)測方法、設備、存儲介質。該方法中，根據(jù)不同溫度下功率半導體器件的飽和壓降與導通電流之間的關系，確定預定電流，基于該預定電流，確定功率半導體器件在結殼熱阻初始狀態(tài)下，飽和壓降與導通電流之間的關系。在功率半導體器件使用后，繼續(xù)基于該預定電流，獲取飽和壓降與導通電流之間的關系。通過監(jiān)測飽和壓降與導通電流關系的變化，監(jiān)測功率半導體器件結殼熱阻的狀態(tài)。以此方式，提供了一種簡單可靠的功率半導體器件的結殼熱阻監(jiān)測方法，并且能夠實現(xiàn)對功率半導體器件結殼熱阻的在線監(jiān)測。??