全自動硅單晶生長爐
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201120243032.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN202175742U | 公開(公告)日 | 2012-03-28 |
申請公布號 | CN202175742U | 申請公布日 | 2012-03-28 |
分類號 | C30B15/20(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 房志剛 | 申請(專利權(quán))人 | 常州江南電力光伏科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 常州市維益專利事務(wù)所 | 代理人 | 常州江南電力光伏科技有限公司 |
地址 | 213125 江蘇省常州市新北區(qū)漢江西路99號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型涉及一種硅單晶生長爐,特別是一種全自動硅單晶生長爐,包括爐體、爐筒、循環(huán)冷卻水系統(tǒng)、提拉裝置、保護氣系統(tǒng)和控制系統(tǒng);所述循環(huán)冷卻水系統(tǒng)設(shè)置在爐體外壁上;所述提拉裝置固定在爐體上方的爐筒內(nèi);所述保護氣系統(tǒng)連接在爐體上;所述爐體內(nèi)設(shè)置單晶硅生長環(huán)境參數(shù)采集系統(tǒng);所述循環(huán)冷卻水系統(tǒng)、保護氣系統(tǒng)、提拉裝置和單晶硅生長環(huán)境參數(shù)采集系統(tǒng)都與控制系統(tǒng)相連。采用上述結(jié)構(gòu)后,對硅單晶生長爐內(nèi)的環(huán)境參數(shù)進行實時監(jiān)控,通過控制系統(tǒng)來自動控制單晶硅棒的生長。 |
