電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜及其制備方法和制備設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210251040.4 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102766849B 公開（公告）日 2015-03-11
申請(qǐng)公布號(hào) CN102766849B 申請(qǐng)公布日 2015-03-11
分類號(hào) C23C14/35(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 王學(xué)雷;夏國(guó)濤;柳錫運(yùn);李章國(guó);王春平;王戰(zhàn)娥 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳南玻顯示器件科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 深圳南玻顯示器件科技有限公司
地址 518000 廣東省深圳市蛇口沿山路33號(hào)南玻工業(yè)大廈
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備方法，包括如下步驟：在室溫條件下，在柔性基片上形成厚度為8納米~17納米的氧化銦錫膜；在壓強(qiáng)為0.3Pa~0.4Pa的含氧氣體中，將形成有氧化銦錫膜的柔性基片于紫外線中照射60秒~100秒后，得到結(jié)晶化的氧化銦錫膜；其中，所述紫外線照射的強(qiáng)度為25mw/cm2~35mw/cm2，波長(zhǎng)為150納米~300納米。上述電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的制備方法制備的電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜的劃線壽命較高。此外，還要提供一種電阻式觸摸屏用氧化銦錫膜和其制備設(shè)備。