ITO基板及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210443960.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN102945694B 公開（公告）日 2015-05-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN102945694B 申請(qǐng)公布日 2015-05-20
分類號(hào) H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 柳錫運(yùn);江成軍;余俊佼;夏國(guó)濤;李章國(guó);李路;李國(guó)勇;楊俊峰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳南玻顯示器件科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 深圳南玻顯示器件科技有限公司
地址 518000 廣東省深圳市蛇口沿山路33號(hào)南玻工業(yè)大廈
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種ITO基板，包括基板和沉積在所述基板的一個(gè)表面的第一ITO膜層，所述第一ITO膜層為納米結(jié)晶態(tài)。上述ITO基板包括基板和沉積在所述基板的一個(gè)表面的第一ITO膜層，第一ITO膜層為納米結(jié)晶態(tài)。納米結(jié)晶態(tài)的第一ITO膜層，其內(nèi)部離子呈周期性排列，具有各向異性，而非晶態(tài)的ITO膜層，其內(nèi)部離子的排列無周期性，具有各向同性。這種ITO基板的納米結(jié)晶態(tài)的第一ITO膜層與傳統(tǒng)的非晶態(tài)的ITO膜層相比，電阻率較低。本發(fā)明還提供一種上述ITO基板的制備方法。