電路板化學鍍鎳金的后浸液及后浸方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201310421880.5 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN104470236A | 公開(公告)日 | 2015-03-25 |
申請公布號 | CN104470236A | 申請公布日 | 2015-03-25 |
分類號 | H05K3/18(2006.01)I;C23C18/18(2006.01)I;C23C18/32(2006.01)I | 分類 | 其他類目不包含的電技術(shù); |
發(fā)明人 | 陳兵 | 申請(專利權(quán))人 | 深圳市興經(jīng)緯科技開發(fā)有限公司 |
代理機構(gòu) | 深圳中一專利商標事務(wù)所 | 代理人 | 張全文 |
地址 | 518000 廣東省深圳市南山區(qū)創(chuàng)業(yè)路保利大廈2307室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種電路板化學鍍鎳金的后浸液,包括如下濃度含量的組分:硫酸含量為1~10V/V%、還原劑1~30g/L、絡(luò)合劑10~80g/L。本發(fā)明通過添加還原劑及絡(luò)合劑對后浸液進行改性,去除半塞孔中殘留的微蝕液、Cu2+、活化Pd2+等氧化性的物質(zhì),有效防止化學鍍鎳出現(xiàn)漏鍍的現(xiàn)象,提高高密度印制電路板的良品率。 |
