一種鎵氮雪崩光電二極管組件及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510755003.0 申請日 -
公開（公告）號 CN106684203B 公開（公告）日 2018-04-27
申請公布號 CN106684203B 申請公布日 2018-04-27
分類號 H01L31/107;H01L31/0304;H01L31/0236;H01L31/18 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 呂志勤;呂強(qiáng);黃臻 申請（專利權(quán)）人 中蕊（武漢）光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 龐紅芳
地址 430074 湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)光谷大道特1號國際企業(yè)中心3棟4層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種鎵氮雪崩光電二極管組件及其制作方法，所述鎵氮雪崩光電二極管組件包括：鎵氮雪崩光電二極管和超材料，所述超材料形成于所述鎵氮雪崩光電二極管的襯底的背面，使入射光通過超材料之后再進(jìn)入所述鎵氮雪崩光電二極管，所述超材料的電磁共振波長位于280nm?365nm之間。本發(fā)明采用生長工藝和制作技術(shù)相對成熟的GaN材料，通過在GaN雪崩光電二極管的襯底背面制作超材料將非日盲紫外光大幅吸收，顯著減小了非日盲紫外光的干擾。