一種閃存結(jié)構(gòu)及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210659132.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114758955A 公開（公告）日 2022-07-15
申請公布號 CN114758955A 申請公布日 2022-07-15
分類號 H01L21/336（2006.01）I;H01L21/324（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L23/29（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L27/11521（2017.01）I;H01L29/788（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 沈安星;張有志;胡曉峰 申請（專利權(quán)）人 粵芯半導(dǎo)體技術(shù)股份有限公司
代理機構(gòu) 上海光華專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 510700廣東省廣州市黃埔區(qū)鳳凰五路28號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種閃存結(jié)構(gòu)的制作方法，包括以下步驟：形成互連層于半導(dǎo)體層上，半導(dǎo)體層中設(shè)有存儲單元，互連層的頂面顯露頂層金屬連線層；形成第一鈍化層于互連層上；在高于400℃的溫度下進行合金化退火步驟；依次形成第二、第三及第四鈍化層于第一鈍化層上，其中，第四鈍化層包括氮化硅層，第一鈍化層的材質(zhì)不同于第四鈍化層。本發(fā)明的閃存結(jié)構(gòu)的制作方法將合金化退火步驟提前到氮化硅沉積之前，鈍化層的氮化硅沉積工藝流程后面沒有高溫制程，氮化硅薄膜中富含的氫不會分解出H+離子，杜絕了由于較大電場強度的原因把隧穿介質(zhì)層里甚至浮柵里的電子吸出的可能性。DRB測試結(jié)果表明，本發(fā)明的閃存結(jié)構(gòu)的DRB性能明顯改善，符合可靠性要求。