一種增加爬電距離的半導體封裝結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202021729139.7 申請日 -
公開（公告）號 CN213124418U 公開（公告）日 2021-05-04
申請公布號 CN213124418U 申請公布日 2021-05-04
分類號 H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱袁正;王燕軍;朱久桃;李明芬 申請（專利權）人 無錫電基集成科技有限公司
代理機構 無錫市匯誠永信專利代理事務所（普通合伙） 代理人 曹慧萍
地址 214000 江蘇省無錫市新吳區(qū)研發(fā)二路以南、研發(fā)一路以東
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種增加爬電距離的半導體封裝結構，其可增加引線之間的爬電距離，同時可增加器件的絕緣強度，滿足半導體器件的高耐壓要求，其包括殼體、若干個由內(nèi)部芯片引出的貫穿殼體的引線，至少一個引線上包覆有凸緣，凸緣位于引線與殼體外表面相鄰的部位，或至少一個引線上包覆有凸緣，同時相鄰兩個引線之間開有凹槽，凹槽的兩端分別貫穿殼體的頂端端面和底端端面。