一種增加爬電距離的半導體封裝結構及其封裝方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010828782.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111916407A 公開（公告）日 2020-11-10
申請公布號 CN111916407A 申請公布日 2020-11-10
分類號 H01L23/29(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 朱袁正;王燕軍;朱久桃;李明芬 申請（專利權）人 無錫電基集成科技有限公司
代理機構 無錫市匯誠永信專利代理事務所（普通合伙） 代理人 曹慧萍
地址 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)研發(fā)二路以南、研發(fā)一路以東
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種增加爬電距離的半導體封裝結構及其封裝方法，其可增加引線之間的爬電距離，同時可增加器件的絕緣強度，滿足半導體器件的高耐壓要求，其包括殼體、若干個由內(nèi)部芯片引出的貫穿殼體的引線，至少一個引線上包覆有凸緣，凸緣位于引線與殼體外表面相鄰的部位，或至少一個引線上包覆有凸緣，同時引線之間開有凹槽，一種實現(xiàn)上述封裝結構封裝的方法，采用環(huán)氧樹脂將所述芯片及所述引線的一端密封封裝，引線之間的爬電路徑上設置有若干個所述凸緣或凸緣與凹槽的組合結構，凸緣與殼體一體成型，或凸緣、凹槽與殼體一體成型。??