一種R-T-B系永磁材料及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010641046.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111627635B 公開(kāi)（公告）日 2021-08-27
申請(qǐng)公布號(hào) CN111627635B 申請(qǐng)公布日 2021-08-27
分類(lèi)號(hào) H01F1/057（2006.01）I;H01F41/02（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 王金磊;黃佳瑩;黃清芳;湯志輝;黎國(guó)妃 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 福建省長(zhǎng)汀金龍稀土有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海弼興律師事務(wù)所 代理人 薛琦;倪麗紅
地址 366300福建省龍巖市長(zhǎng)汀經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)工業(yè)新區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種R?T?B系永磁材料及其制備方法。以重量百分比計(jì)，該材料包括下述組分：R：28.5wt％～33.57wt％；所述的R為稀土元素，其包含Nd和重稀土元素R，所述的R的含量為0.5wt％～12.0wt％；Al：≥0.01wt％；Cu：0.05wt％～1.0wt％；Co：0wt％～2.5wt％；Ga：0.05wt％～1.0wt％；Zr：0wt％～0.7wt％；B：0.88wt％～1.2wt％；所述的Cu和所述的Al的總含量≥0.65wt％。該材料耐高溫性能好，受熱后磁性能衰減較小。