一種氣相沉積裝置
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202120151852.6 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN214782132U | 公開(公告)日 | 2021-11-19 |
申請公布號 | CN214782132U | 申請公布日 | 2021-11-19 |
分類號 | C23C16/455(2006.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學(xué)處理;金屬材料的擴(kuò)散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
發(fā)明人 | 鄧必龍;張向東 | 申請(專利權(quán))人 | 龍鱗(深圳)新材料科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | 潘登 |
地址 | 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坪山街道六聯(lián)社區(qū)坪山大道2007號創(chuàng)新廣場裙樓202 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實(shí)用新型公開了一種氣相沉積裝置,其屬于產(chǎn)品表面鍍層技術(shù)領(lǐng)域,包括真空的殼體,所述殼體的側(cè)壁具有進(jìn)氣口,所述殼體的頂壁中部具有抽氣口;工件架,位于所述殼體內(nèi),待鍍膜工件設(shè)置于所述工件架上;導(dǎo)流板,位于所述殼體內(nèi),所述導(dǎo)流板在所述殼體側(cè)壁上的正投影覆蓋所述進(jìn)氣口且與所述殼體的側(cè)壁之間存在間隙,以能夠?qū)τ伤鲞M(jìn)氣口進(jìn)入的氣流進(jìn)行導(dǎo)流;多個(gè)電極板,位于所述殼體內(nèi),每個(gè)所述電極板上均具有多個(gè)通孔,或者,相鄰兩個(gè)所述電極板形成氣流通道;經(jīng)所述導(dǎo)流板導(dǎo)流的流體通過多個(gè)所述通孔或多個(gè)所述氣流通道分流至所述工件架處。本實(shí)用新型能夠提高流至工件架處的流體的均勻性,使得在待鍍膜工件上形成的膜層的均勻性較高。 |
