一種高壓尖峰泄放電路

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110389288.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112865058A 公開（公告）日 2021-05-28
申請公布號 CN112865058A 申請公布日 2021-05-28
分類號 H02H9/04(2006.01)I 分類 發(fā)電、變電或配電;
發(fā)明人 胡梟;趙智超;嚴培青 申請（專利權(quán)）人 上海傳泰電子科技有限公司
代理機構(gòu) 上海怡恩專利代理事務所（普通合伙） 代理人 潘青青
地址 201306上海市浦東新區(qū)自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)云漢路979號2樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種高壓尖峰泄放電路，包括穩(wěn)壓模塊、尖峰電壓檢測模塊、泄放MOS保護模塊和尖峰電壓泄放MOS管模塊；所述尖峰電壓檢測模塊包括一個PMOS管和兩個電阻；所述泄放MOS保護電路包括N(N>0)個NMOS管；所述的尖峰電壓泄放MOS管模塊包括一個NMOS管。本發(fā)明通過對輸入電壓的檢測和對泄放MOS管的控制，解決了輸入電壓產(chǎn)生高壓尖峰時，泄放速度慢和尖峰電壓泄放后電壓值大導致的內(nèi)部電路燒毀問題，提高了電路可靠性。本發(fā)明中尖峰電壓檢測模塊使用的PMOS管為工藝自帶的PM1場效應管，減少了制版層次，降低了生產(chǎn)成本。??