超導(dǎo)薄膜制備方法及超導(dǎo)薄膜
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011012963.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112126983A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-12-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112126983A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-25 |
| 分類號(hào) | C30B29/52(2006.01)I;C30B23/02(2006.01)I | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 倪健;樓廈;薛聰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 埃特曼半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 埃特曼（深圳）半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
| 地址 | 518051廣東省深圳市南山區(qū)招商街道文竹園社區(qū)荔園路51源華綜合樓 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)涉及一種超導(dǎo)薄膜制備方法及超導(dǎo)薄膜，包括：提供基底；去除所述基底上表面的雜質(zhì)并形成平滑上表面；采用分子束外延生長(zhǎng)技術(shù)于所述平滑上表面上生長(zhǎng)鑭系金屬單晶層，使得所述平滑上表面與所述鑭系金屬單晶層之間生成一原子級(jí)平整的界面。本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N制作工藝簡(jiǎn)單、周期短的超導(dǎo)薄膜制備方法，利用該方法制備的超導(dǎo)薄膜具有優(yōu)良的低溫超導(dǎo)性能；并且該超導(dǎo)薄膜中具有一原子級(jí)平整的界面，該原子級(jí)平整的界面在原子尺度上規(guī)則、平整、幾乎無(wú)缺陷及雜質(zhì)，可以通過(guò)該原子級(jí)平整的界面研究電子結(jié)構(gòu)，以獲取超導(dǎo)電性的起源，也可以為完善超導(dǎo)理論、探索更多超導(dǎo)材料提供啟示。?? |
