銻化物高電子遷移率晶體管及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011438021.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112563137A 公開（公告）日 2021-03-26
申請公布號 CN112563137A 申請公布日 2021-03-26
分類號 H01L29/06(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L29/207(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 倪健;董海云;薛聰 申請（專利權(quán)）人 埃特曼半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機構(gòu) 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 魏宇星
地址 518051廣東省深圳市南山區(qū)招商街道文竹園社區(qū)荔園路51源華綜合樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種銻化物高電子遷移率晶體管及制備方法，所述制備方法包括：提供襯底；于所述襯底的表面形成電子阻擋層；于所述電子阻擋層的表面形成銻化物外延結(jié)構(gòu)。通過在銻化物外延結(jié)構(gòu)和襯底之間設(shè)計引入電子阻擋層，解決襯底中的原子向上層結(jié)構(gòu)擴散可能帶來的器件漏電以及襯底原子不可控的擴散增加溝道層中電子濃度的控制難度等問題；銻化物外延結(jié)構(gòu)既保證整體銻化物高分子遷移率晶體管的正常工作，同時緩解了常見的襯底與上層銻化物存在的晶格失配的問題，進而有效提高銻化物高電子遷移率晶體管溝道的電子濃度和在室溫條件下的電子遷移率。??