砷噴射室裝置及分子束外延設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022701489.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN214271019U 公開（公告）日 2021-09-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN214271019U 申請(qǐng)公布日 2021-09-24
分類號(hào) C23C14/06（2006.01）I;C23C14/22（2006.01）I;C23C14/54（2006.01）I 分類 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 樓廈;倪健;薛聰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 埃特曼半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 魏宇星
地址 518051廣東省深圳市南山區(qū)招商街道文竹園社區(qū)荔園路51源華綜合樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開一種砷噴射室裝置及分子束外延設(shè)備，所述砷噴射室裝置設(shè)置于分子束外延設(shè)備，包括：砷真空腔，用于對(duì)所述砷真空腔內(nèi)的單質(zhì)砷加熱，以得到四砷分子；熱裂解器，用于對(duì)所述熱裂解器內(nèi)的四砷分子熱裂解處理，以獲得砷分子束；控制閥，所述控制閥的輸入端與所述砷真空腔的第一輸出端連接，所述控制閥的輸出端與所述熱裂解器的輸入端連接，所述控制閥用于調(diào)節(jié)進(jìn)入所述熱裂解器內(nèi)的四砷分子的流量；其中，所述四砷分子的熱裂解溫度大于所述單質(zhì)砷的加熱溫度。利用過渡腔體緩沖的方式，來使得四砷分子進(jìn)入到熱裂解器中氣壓保持穩(wěn)定，以便于裂解獲得的砷分子束數(shù)量穩(wěn)定、裂解比例高，有利于后期在分子束外延設(shè)備制備薄膜材料的生長(zhǎng)。