具有過渡金屬硫化物薄膜的結(jié)構(gòu)的制備方法及結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011296337.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112522783A 公開（公告）日 2021-03-19
申請公布號 CN112522783A 申請公布日 2021-03-19
分類號 H01L21/02(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C30B28/14(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 倪健;黃萬通;薛聰 申請（專利權）人 埃特曼半導體技術有限公司
代理機構(gòu) 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 代理人 李睿
地址 518051廣東省深圳市南山區(qū)招商街道文竹園社區(qū)荔園路51源華綜合樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種具有過渡金屬硫化物薄膜的結(jié)構(gòu)的制備方法及結(jié)構(gòu)，制備方法包括：提供襯底；于所述襯底的表面形成石墨烯層；于所述石墨烯層的表面形成過渡金屬硫化物薄膜。在提供的襯底上依次形成石墨烯層和過渡金屬硫化物薄膜，石墨烯層與過渡金屬硫化物薄膜之間為范德瓦爾斯力，解決了薄膜與襯底之間存在的晶格失配問題，保證過渡金屬硫化物薄膜最本征的性質(zhì)，從而獲得高質(zhì)量的過渡金屬硫化物薄膜。??