具有過(guò)渡金屬硫化物薄膜的結(jié)構(gòu)的制備方法及結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202011296337.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112522783A 公開(kāi)（公告）日 2021-03-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN112522783A 申請(qǐng)公布日 2021-03-19
分類號(hào) H01L21/02(2006.01)I;C30B25/18(2006.01)I;C30B28/14(2006.01)I;C30B29/46(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 倪健;黃萬(wàn)通;薛聰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 埃特曼半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 李睿
地址 518051廣東省深圳市南山區(qū)招商街道文竹園社區(qū)荔園路51源華綜合樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種具有過(guò)渡金屬硫化物薄膜的結(jié)構(gòu)的制備方法及結(jié)構(gòu)，制備方法包括：提供襯底；于所述襯底的表面形成石墨烯層；于所述石墨烯層的表面形成過(guò)渡金屬硫化物薄膜。在提供的襯底上依次形成石墨烯層和過(guò)渡金屬硫化物薄膜，石墨烯層與過(guò)渡金屬硫化物薄膜之間為范德瓦爾斯力，解決了薄膜與襯底之間存在的晶格失配問(wèn)題，保證過(guò)渡金屬硫化物薄膜最本征的性質(zhì)，從而獲得高質(zhì)量的過(guò)渡金屬硫化物薄膜。??