一種在全室溫下制備低壓雙電層ITO透明薄膜晶體管的工藝
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201210597524.4 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN103107093A | 公開(公告)日 | 2013-05-15 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN103107093A | 申請(qǐng)公布日 | 2013-05-15 |
分類號(hào) | H01L21/336(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 紀(jì)成友;劉志龍 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 青島紅星化工廠有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
地址 | 266000 山東省青島市李滄區(qū)四流北路43號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 一種底柵結(jié)構(gòu)的低壓雙電層ITO透明薄膜晶體管的制備工藝,包括:清潔襯底步驟;制備柵極步驟;制備絕緣層步驟;ITO溝道層的沉積步驟;源、漏極的制備步驟。上述制備絕緣層步驟、ITO溝道層的沉積步驟以及源、漏極的制備步驟均在室溫下進(jìn)行。 |
