一種場(chǎng)發(fā)射陰極的處理方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210595720.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103065909A 公開（公告）日 2013-04-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN103065909A 申請(qǐng)公布日 2013-04-24
分類號(hào) H01J9/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 紀(jì)成友;劉志龍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 青島紅星化工廠有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 266000 山東省青島市李滄區(qū)四流北路43號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種HfNxOy納米線場(chǎng)發(fā)射陰極的制備方法，包括：Si襯底在丙酮和酒精中分別經(jīng)超聲清洗15min，然后用去離子水沖洗；采用高純Ar作為濺射氣體，高純N2作為反應(yīng)氣體；真空室本底壓強(qiáng)1.5×10-1Pa，濺射沉積過程的壓強(qiáng)為1.5Pa，濺射時(shí)所加電壓為400V，電流為0.4A，濺射時(shí)間為30min，濺射HfNxOy；生成后的樣品再在管式爐中，不同溫度下，NZ氣氛中退火2小時(shí)。