一種場發(fā)射陰極的處理方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210595734.X 申請日 -
公開（公告）號 CN103077868A 公開（公告）日 2013-05-01
申請公布號 CN103077868A 申請公布日 2013-05-01
分類號 H01J9/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 紀(jì)成友;劉志龍 申請（專利權(quán)）人 青島紅星化工廠有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 266000 山東省青島市李滄區(qū)四流北路43號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種GaN納米線場發(fā)射陰極的制備方法，包括：先通過電子束蒸發(fā)的方法在Si襯底上沉積一層10nm厚的Ni薄層；把盛有Si襯底和高純金屬Ga的鎢舟放入管式爐內(nèi)的石英管中置；把石英管的溫度升到某一固定值；再通NH3和Ar的混合氣；自然冷卻到室溫。