一種場(chǎng)發(fā)射陰極的處理方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201210595710.4 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN103077866A 公開(kāi)（公告）日 2013-05-01
申請(qǐng)公布號(hào) CN103077866A 申請(qǐng)公布日 2013-05-01
分類(lèi)號(hào) H01J9/02(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 紀(jì)成友;劉志龍 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 青島紅星化工廠有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 266000 山東省青島市李滄區(qū)四流北路43號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種InGaAlN納米線場(chǎng)發(fā)射陰極的制備方法，包括：先通過(guò)CVD的方法在沉積了一層Au的Si襯底上生長(zhǎng)InGaAlN樣品；把盛有Si襯底和高純金屬Ga、Al和In的鎢舟放入管式爐內(nèi)的石英管中；隨后，用機(jī)械泵對(duì)石英管抽氣，把石英管的溫度升到某一固定值；再通NH3和Ar的混合氣體；自然冷卻到室溫。