一種MEMS傳感器及其制備方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201811266759.9 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(kāi)(公告)號(hào) | CN111099556A | 公開(kāi)(公告)日 | 2020-05-05 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN111099556A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-05-05 |
分類(lèi)號(hào) | B81C3/00;B81C1/00;B81B7/02 | 分類(lèi) | 微觀結(jié)構(gòu)技術(shù)〔7〕; |
發(fā)明人 | 阮盛杰 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人 | 上海途擎微電子有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 上海途擎微電子有限公司 |
地址 | 200120 上海市浦東新區(qū)中國(guó)(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)芳春路400號(hào)1幢3層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種MEMS傳感器及其制備方法,其中,MEMS傳感器的制備方法包括:制備器件層的壓電電阻與金屬線(xiàn),并預(yù)釋放質(zhì)量塊與懸臂梁;制備上蓋板并將所述上蓋板與上述所述器件層鍵合;釋放所述質(zhì)量塊及所述懸臂梁;制備下蓋板并將所述下蓋板與所述器件層鍵合,制得所述MEMS傳感器。通過(guò)上述方式,本發(fā)明的MEMS傳感器能夠有效降低零點(diǎn)輸出。 |
