一種反激拓撲初級側(cè)開關(guān)MOS管并聯(lián)自適應調(diào)整電路
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201922344339.4 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN210745009U | 公開（公告）日 | 2020-06-12 |
| 申請公布號 | CN210745009U | 申請公布日 | 2020-06-12 |
| 分類號 | H02M1/088(2006.01)I;H02M3/335(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 張建華;許峰 | 申請（專利權(quán)）人 | 青島元通電子有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京青松知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（特殊普通合伙） | 代理人 | 青島元通電子有限公司 |
| 地址 | 266000山東省青島市市北區(qū)駝峰路1號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型涉及一種反激拓撲初級側(cè)開關(guān)MOS管并聯(lián)自適應調(diào)整電路，其包括并聯(lián)MOS管單元、采樣電路單元、比較電路單元、PNP型三極管和控制單元，并聯(lián)MOS單元經(jīng)采樣電路單元、比較電路單元與PNP型三極管的基極相連接，控制單元的輸出端與PNP型三極管的發(fā)射極相連接，其中，并聯(lián)MOS單元包括并聯(lián)的第一MOS管和第二MOS管，第一MOS管的柵極與PNP型三極管的發(fā)射極相連接，第二MOS管的柵極與PNP型三極管的集電極相連接。本反激拓撲初級側(cè)開關(guān)MOS管并聯(lián)自適應調(diào)整電路，能夠在使用兩個或多個MOS管并聯(lián)，實現(xiàn)較高變換功率的基礎(chǔ)上，顯著降低電源輕載或者空載待機功耗。?? |
