一種DRAM芯片修復(fù)方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201911062917.3 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN110797072B | 公開(公告)日 | 2021-09-21 |
申請公布號 | CN110797072B | 申請公布日 | 2021-09-21 |
分類號 | G11C29/00(2006.01)I;G11C11/401(2006.01)N | 分類 | 信息存儲; |
發(fā)明人 | 王帆;席隆宇 | 申請(專利權(quán))人 | 西安紫光國芯半導(dǎo)體有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 | 代理人 | 張海平 |
地址 | 710075陜西省西安市高新區(qū)高新六路38號A座4層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種DRAM芯片修復(fù)方法,包括以下步驟:按照修復(fù)的限制條件對芯片的修復(fù)方案的優(yōu)先級從高到低進(jìn)行排序;對芯片修復(fù)按照修復(fù)方案的優(yōu)先級依次進(jìn)行,直至得到芯片的修復(fù)結(jié)果。本發(fā)明可以支持多修復(fù)方案并存,極大地縮短了DRAM的修復(fù)時間,進(jìn)而減少了測試時間;同時由于多修復(fù)方案可以同時并存,芯片的品質(zhì)也得到了提升。 |
