三維堆疊存儲芯片模塊

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120261199.9 申請日 -
公開（公告）號 CN214176036U 公開（公告）日 2021-09-10
申請公布號 CN214176036U 申請公布日 2021-09-10
分類號 H01L25/18（2006.01）I;H01L23/528（2006.01）I;H01L23/498（2006.01）I;H01L21/60（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李曉駿;任奇?zhèn)?王嵩 申請（專利權(quán)）人 西安紫光國芯半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) 北京眾達德權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 吳瑩
地址 710075陜西省西安市高新區(qū)丈八街辦高新六路38號A座4樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請實施例通過提供一種三維堆疊存儲芯片模塊，解決了現(xiàn)有存儲芯片寄生電阻電容大、使用硅通孔技術(shù)而帶來的制造成本高、RC延遲大，功耗大，散熱差的問題。上述三維堆疊存儲芯片模塊，包括相互堆疊的存儲部分和控制部分，上述存儲部分與上述控制部分通過混合鍵合方式相連接。其中，所述混合鍵合方式為通過金屬導(dǎo)體連接孔使所述存儲部分的連接焊盤和所述控制部分的連接焊盤相連接，所述存儲部分包括兩個或三個以上的存儲部分芯片，和/或，所述控制部分包括兩個或三個以上的控制部分芯片。