一種單晶爐液面自動測量補償一體系統(tǒng)及方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210137968.3 申請日 -
公開（公告）號 CN114540940A 公開（公告）日 2022-05-27
申請公布號 CN114540940A 申請公布日 2022-05-27
分類號 C30B15/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 徐永根;沈凱杰 申請（專利權(quán)）人 浙江晶陽機電股份有限公司
代理機構(gòu) 嘉興啟帆專利代理事務所（普通合伙） 代理人 -
地址 314413浙江省嘉興市海寧市丁橋鎮(zhèn)聯(lián)保路22號（自主申報）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種晶體培養(yǎng)裝置，更具體地說是一種單晶爐液面自動測量補償一體系統(tǒng)及方法，包括支撐機構(gòu)、切換機構(gòu)、平衡機構(gòu)、爐筒機構(gòu)、液面檢測機構(gòu)和補償機構(gòu)，切換機構(gòu)位于支撐機構(gòu)的上部，切換機構(gòu)與支撐機構(gòu)轉(zhuǎn)動連接，平衡機構(gòu)與切換機構(gòu)滑動連接，爐筒機構(gòu)與支撐機構(gòu)滑動連接，液面檢測機構(gòu)設(shè)有兩個，液面檢測機構(gòu)固定在爐筒機構(gòu)的上部兩側(cè)，補償機構(gòu)與爐筒機構(gòu)相連接；第一次補液，通過爐筒機構(gòu)兩側(cè)設(shè)置的補液閥進行首次充液，浮子浮起，檢測初始液面高度；掛晶體；進行第一次補償；第二次補償，通過底板與托盤分開，通過補液孔二和補液孔一向托盤上部補液；底板與托盤同步下降，降至最低位置后，再次合并，完成第二次補液操作。