一種使用低壓PMOS整流管的同步整流BOOST型電源調(diào)制電路
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201810331453.0 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN108390568B | 公開(公告)日 | 2018-08-10 |
申請公布號 | CN108390568B | 申請公布日 | 2018-08-10 |
分類號 | H02M3/158(2006.01)I;H02M1/088(2006.01)I | 分類 | 發(fā)電、變電或配電; |
發(fā)明人 | 林浩;張成鳳;王鑫 | 申請(專利權(quán))人 | 成都矽芯科技有限公司 |
代理機構(gòu) | 成都其高專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) | 代理人 | 成都矽芯科技有限公司 |
地址 | 610000四川省成都市中國(四川)自由貿(mào)易試驗區(qū)成都高新區(qū)吉泰五路88號2棟11層15號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種使用低壓PMOS整流管的同步整流BOOST型電源調(diào)制電路,設(shè)置有彼此連接的低壓驅(qū)動電路和同步整流BOOST環(huán)路,所述低壓驅(qū)動電路在輸出電源的基礎(chǔ)上形成一個可控的電壓差ΔV;所述低壓驅(qū)動電路的輸出端的一端與同步整流BOOST環(huán)路的低壓PMOS整流管的柵極相連接,將低壓PMOS整流管的驅(qū)動電壓控制在輸出電源值?ΔV~輸出電源值之間,能夠克服現(xiàn)有技術(shù)中內(nèi)置高壓PMOS整流管驅(qū)動能力差,面積大,寄生電容大的缺點,以及低壓PMOS整流管耐壓能力不足的問題。?? |
