用于高密度集成電路設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510226989.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104916587A 公開（公告）日 2015-09-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN104916587A 申請(qǐng)公布日 2015-09-16
分類號(hào) H01L21/8232(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭昌松 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳市海泰康微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市恒申知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳健
地址 518000 廣東省深圳市南山區(qū)朗山路16號(hào)華瀚科技大廈C座502室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種用于高密度集成電路設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體器件及其制備方法。本發(fā)明在多層半導(dǎo)體層上刻蝕多層鰭結(jié)構(gòu)。該多層鰭結(jié)構(gòu)包括至少兩個(gè)半導(dǎo)體層；各半導(dǎo)體層之間通過第二絕緣層隔離，各半導(dǎo)體層包括源區(qū)、漏區(qū)及溝道區(qū)。最后在多層鰭結(jié)構(gòu)表面形成柵極層。多層鰭結(jié)構(gòu)中的每個(gè)半導(dǎo)體層的源區(qū)、漏區(qū)及溝道區(qū)與該多層鰭結(jié)構(gòu)表面的柵極層都將形成一個(gè)鰭式場效應(yīng)晶體管，從而形成多個(gè)垂直堆疊且共享該柵極層的鰭式場效應(yīng)晶體管。該半導(dǎo)體器件具有3D結(jié)構(gòu)，且具有與傳統(tǒng)的平面場效應(yīng)晶體管類似的版圖和構(gòu)造，易于與傳統(tǒng)的平面場效應(yīng)晶體管制造工藝集成，可用于實(shí)現(xiàn)高度集成和緊湊的3D電路，為高性能、等比例縮小能力強(qiáng)的3D集成電路提供了基石。