一種自對準雙重圖形成像方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510218532.7 申請日 -
公開（公告）號 CN106200272B 公開（公告）日 2017-10-27
申請公布號 CN106200272B 申請公布日 2017-10-27
分類號 G03F7/20(2006.01)I;G03F1/36(2012.01)I;H01L21/027(2006.01)I 分類 攝影術(shù)；電影術(shù)；利用了光波以外其他波的類似技術(shù)；電記錄術(shù)；全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 張利斌;韋亞一 申請（專利權(quán)）人 廣東中科芯發(fā)展科技有限公司
代理機構(gòu) 北京維澳專利代理有限公司 代理人 黨麗;江懷勤
地址 100020 北京市朝陽區(qū)北土城西路3號15幢328室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種自對準雙重圖形成像方法，包括：提供襯底，所述襯底上依次形成有待刻蝕層、第一掩膜層、第二掩膜層、第一光罩層；提供第一掩膜版和第二掩膜版，第一掩膜版提供關鍵圖形，第二掩膜版提供非關鍵圖形；分別利用第一掩膜版和第二掩膜版對第一光罩層進行光刻；進行刻蝕，形成第一次圖形于第二掩膜層，并去除第一光罩層；在第一次圖形周圍形成側(cè)墻，去除第一次圖形；以側(cè)墻為掩膜進行刻蝕，在第一掩膜層中形成第一掩膜層圖形，去除側(cè)墻，對其進行修正，獲得第二次圖形；進行刻蝕將第二次圖形轉(zhuǎn)移到待刻蝕層上，并去除第一掩膜層。利用本發(fā)明提供的方法減少了涂布光刻膠步驟及晶圓在不同設備之間的流轉(zhuǎn)，能有效降低光刻工藝的成本。