優(yōu)化引線鍵合封裝芯片的電壓降的方法及應(yīng)用
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910512728.5 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN110619136B | 公開(公告)日 | 2022-02-22 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN110619136B | 申請(qǐng)公布日 | 2022-02-22 |
分類號(hào) | G06F30/392(2020.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I | 分類 | 計(jì)算;推算;計(jì)數(shù); |
發(fā)明人 | 吳帥帥;何瑞洲;鄭立青;楊睿;張宇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 眸芯科技(上海)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 上海圖靈知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 謝微 |
地址 | 201210 上海市浦東新區(qū)祥科路298號(hào)1幢8層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了優(yōu)化引線鍵合封裝芯片的電壓降的方法及應(yīng)用,涉及集成電路芯片技術(shù)領(lǐng)域。所方法包括步驟:在芯片邊界IO區(qū)域預(yù)布n組電源IO單元和/或電地IO單元,獲取需要優(yōu)化電壓降的區(qū)域,設(shè)置電源電地接收單元并將其放置在需要優(yōu)化電壓降的區(qū)域,計(jì)算需要?jiǎng)h除最高層金屬線和孔數(shù)據(jù)的區(qū)域并刪除相關(guān)內(nèi)容,對(duì)每個(gè)電源電地接收單元,選取距離最近且電源屬性相同的一組電源IO單元或電地IO單元,與基板電源或電地組成一組用封裝金屬線連接。本發(fā)明利用封裝金屬線把芯片基板電源或電地,經(jīng)過(guò)芯片邊界的IO單元,直接傳遞到芯片內(nèi)部需要優(yōu)化電壓降的區(qū)域,減少了電源或電地傳輸?shù)叫酒瑑?nèi)部過(guò)程中電壓的消耗,同時(shí)還可以增強(qiáng)局部電源。 |
