一種硅基鍵合石墨烯(CBG)陶瓷散熱器一體化結構
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110516152.7 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113078129A | 公開(公告)日 | 2021-07-06 |
申請公布號 | CN113078129A | 申請公布日 | 2021-07-06 |
分類號 | H01L23/373(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 阮詩倫;張光輝;孫秀潔;吳昕哲;楊華龍;梁曉穎;李朝陽 | 申請(專利權)人 | 鄭州大工高新科技有限公司 |
代理機構 | 鄭州浩德知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人 | 柏瓊瓊 |
地址 | 450000河南省鄭州市自貿試驗區(qū)鄭州片區(qū)(經開)第二大街58號興華大廈2號樓102號 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明涉及大功率的電子元器件散熱領域的技術領域,尤其是一種硅基鍵合石墨烯(CBG)陶瓷散熱器一體化結構,包括從上到下依次設置的大功率半導體芯片、錫焊層、銅金屬線路和硅基鍵合石墨烯(CBG)陶瓷散熱器,所述的硅基鍵合石墨烯(CBG)陶瓷散熱器包括陶瓷散熱器以及所述的陶瓷散熱器表面設有的一層硅基鍵合石墨烯(CBG)涂層,本發(fā)明減少了常規(guī)封裝結構中間的銅散熱基板、導熱凝膠結構,降低了熱阻,同時再加上硅基鍵合石墨烯(CBG)涂層的優(yōu)良的導熱散熱能力以及與陶瓷散熱器間優(yōu)良的結合性能,可以大大提高半導體功率電子器件的散熱性能。 |
