基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路和振蕩器

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120751339.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN214846435U 公開（公告）日 2021-11-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN214846435U 申請(qǐng)公布日 2021-11-23
分類號(hào) G05F3/20（2006.01）I;G05F3/30（2006.01）I 分類 控制；調(diào)節(jié);
發(fā)明人 王紅義;陳帥謙 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 拓爾微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 趙倩
地址 710000 陜西省西安市高新區(qū)科技二路72號(hào)西安軟件園零壹廣場(chǎng)B201
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路和振蕩器，其中，基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生電路包括：級(jí)聯(lián)的多個(gè)N溝道耗盡型MOS管，其中：對(duì)于任意相鄰的兩級(jí)N溝道耗盡型MOS管，前一級(jí)N溝道耗盡型MOS管的柵極與后一級(jí)N溝道耗盡型MOS管的源極連接，前一級(jí)N溝道耗盡型MOS管的源極與后一級(jí)N溝道耗盡型MOS管的漏極連接；第一級(jí)N溝道耗盡型MOS管的漏極用于連接電流源，第一級(jí)N溝道耗盡型MOS管的源極用于輸出基準(zhǔn)電壓；最后一級(jí)N溝道耗盡型MOS管的柵極接地，最后一級(jí)N溝道耗盡型MOS管的源極通過(guò)限流電阻接地。本申請(qǐng)?zhí)峁┑募夹g(shù)方案，采用級(jí)聯(lián)的N溝道耗盡型MOS管產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓，可以有效的減小電路面積，降低電路成本。