SOI晶片及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN200910165230.2 申請日 -
公開（公告）號 CN101996922B 公開（公告）日 2013-09-04
申請公布號 CN101996922B 申請公布日 2013-09-04
分類號 H01L21/762(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 黃河 申請（專利權(quán)）人 鎮(zhèn)江芯納微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 上海麗恒光微電子科技有限公司;西安宜升光電科技有限公司
地址 201203 上海市張江高科技園區(qū)龍東大道3000號5號樓501B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種SOI晶片及其形成方法。其中SOI晶片的形成方法，包括：提供單晶硅片，所述單晶硅片上形成有掩膜層；刻蝕掩膜層和單晶硅片，形成若干溝槽；在溝槽側(cè)壁及底部形成第一絕緣層；刻蝕去除溝槽底部第一絕緣層；沿溝槽刻蝕溝槽下方的單晶硅片，形成空洞；處理空洞內(nèi)壁，形成第二絕緣層；在溝槽及空洞內(nèi)填充滿絕緣物質(zhì)層。本發(fā)明工藝簡單，制作成本低，形成的SOI晶片的質(zhì)量高，并與標(biāo)準(zhǔn)體硅CMOS工藝制程兼容。