晶振及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010193493.7 申請日 -
公開（公告）號 CN102270975B 公開（公告）日 2013-10-09
申請公布號 CN102270975B 申請公布日 2013-10-09
分類號 H03H9/02(2006.01)I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 毛劍宏 申請（專利權(quán)）人 鎮(zhèn)江芯納微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 上海麗恒光微電子科技有限公司;張家港麗恒光微電子科技有限公司
地址 201203 上海市浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)龍東大道3000號5號樓501B室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種晶振及其制作方法，所述競晶振包括：半導(dǎo)體襯底；位于半導(dǎo)體襯底表面的層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層內(nèi)形成有激勵(lì)板以及位于所述激勵(lì)板兩側(cè)的正極插塞、負(fù)極插塞；位于正極插塞與負(fù)極插塞之間、激勵(lì)板上方的下空腔；位于層間介質(zhì)層表面，橫跨所述下空腔，并與正極插塞、負(fù)極插塞連接的振動晶體，所述振動晶體與其兩側(cè)的正極插塞以及負(fù)極插塞連接，除此之外，其余兩側(cè)為自由端，不與周圍物體相接觸；位于層間介質(zhì)層上的隔離層，所述隔離層與振動晶體之間具有間隙，構(gòu)成上空腔；形成于所述隔離層表面的覆蓋層。本發(fā)明所述晶振基于CMOS工藝制造，易于集成至半導(dǎo)體芯片中，滿足器件微縮的需求。