MEMS器件及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201010135707.5 申請日 -
公開（公告）號 CN102198925B 公開（公告）日 2015-03-04
申請公布號 CN102198925B 申請公布日 2015-03-04
分類號 H01L29/78(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 毛劍宏;韓鳳芹 申請（專利權(quán)）人 鎮(zhèn)江芯納微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 張家港市高松專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 張家港麗恒光微電子科技有限公司;上海麗恒光微電子科技有限公司;浙江玨芯微電子有限公司
地址 215613 江蘇省蘇州市張家港市鳳凰鎮(zhèn)雙龍村
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種MEMS器件及其形成方法，其中MEMS器件包括：半導(dǎo)體襯底；形成在半導(dǎo)體襯底內(nèi)的阱區(qū)；形成在阱區(qū)內(nèi)的源極區(qū)、漏極區(qū)和溝道區(qū)；形成在源極區(qū)、漏極區(qū)表面的隔離層；形成在溝道區(qū)表面的柵介質(zhì)層；形成在柵介質(zhì)層上方并與柵介質(zhì)層具有間隙的柵電極層，所述間隙寬度與溝道區(qū)對應(yīng)。本發(fā)明提供MEMS器件的形成方法與傳統(tǒng)半導(dǎo)體形成工藝兼容，不需要重新研發(fā)新型材料和新的制備工藝，制備的MEMS器件耐壓性能高，柵電極漏電流低。