一種高可靠性MOSFET集成電路芯片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111206703.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113948577A 公開（公告）日 2022-01-18
申請公布號 CN113948577A 申請公布日 2022-01-18
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/40（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉秀梅;劉鋒;殷允超;周祥瑞 申請（專利權(quán)）人 捷捷微電（無錫）科技有限公司
代理機構(gòu) 北京神州信德知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 朱俊杰
地址 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園B-221
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種高可靠性MOSFET集成電路芯片及其制備方法，包括終端區(qū)域；在終端區(qū)域內(nèi)設(shè)置至少一個第一類溝槽（11）和至少兩個第二類溝槽（8）；所述第一類溝槽（11）內(nèi)設(shè)有源極導(dǎo)電多晶硅（4）；所述第二類溝槽（8）內(nèi)設(shè)有浮空多晶硅（12）；增加所述第一類溝槽（11）和所述第二類溝槽（8）數(shù)量以提高終端區(qū)域的耐壓能力，并且逐漸增大與所述第二類溝槽（8）相鄰的平臺區(qū)的寬度。