一種低內(nèi)阻超薄型功率器件的封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122373409.6 申請日 -
公開（公告）號 CN216015357U 公開（公告）日 2022-03-11
申請公布號 CN216015357U 申請公布日 2022-03-11
分類號 H01L23/495（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I;H01L23/367（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李自政;周祥瑞;王佳佳 申請（專利權(quán)）人 捷捷微電（無錫）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫科嘉知信專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 顧翰林
地址 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園B-221
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種低內(nèi)阻超薄型功率器件的封裝結(jié)構(gòu)，其技術(shù)方案要點(diǎn)是：低內(nèi)阻超薄型功率器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括散熱片、半導(dǎo)體芯片、塑封體和裝片基島，所述半導(dǎo)體芯片正面的第一電極Source與第二導(dǎo)電金屬片的一端焊接，所述半導(dǎo)體芯片正面的第二電極Gate與第一導(dǎo)電金屬片的一端焊接，所述塑封體內(nèi)封裝有裝片基島正面、半導(dǎo)體芯片、第一導(dǎo)電金屬片和第二導(dǎo)電金屬片的焊接端，所述散熱片和裝片基島背面裸露在塑封體外。本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)采用導(dǎo)電金屬片作為引腳直接與半導(dǎo)體芯片的電極焊接，既能降低器件封裝寄生電阻，增大器件過電流能力，又能增強(qiáng)器件的散熱能力，降低封裝熱阻，提高了器件封裝的可靠性。