一種溝槽MOSFET的新型結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122407728.4 申請日 -
公開（公告）號 CN215988774U 公開（公告）日 2022-03-08
申請公布號 CN215988774U 申請公布日 2022-03-08
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉鋒;殷允超;劉秀梅;費(fèi)國芬 申請（專利權(quán)）人 捷捷微電（無錫）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫科嘉知信專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 顧翰林
地址 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園B-221
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種溝槽MOSFET的新型結(jié)構(gòu)，其技術(shù)方案要點(diǎn)是：包括MOSFET管件，所述MOSFET管件包括有底部SUB層，所述SUB層的上部設(shè)有epi1層，所述epi1層的上部設(shè)有epi2層，所述epi2層的上部設(shè)有body注入層，所述body注入層的上部設(shè)有淀積介質(zhì)層，所述淀積介質(zhì)層上設(shè)有淀積金屬層，所述epi1層和所述epi2層內(nèi)蝕刻有溝槽，所述溝槽的內(nèi)壁熱生長有柵氧，所述柵氧的內(nèi)側(cè)填充有多晶硅，所述淀積介質(zhì)層內(nèi)腐蝕有光刻孔，所述光刻孔內(nèi)填充有N+層；本實(shí)用新型降低epi1層和襯底sub層的濃度差較小進(jìn)而降低襯底反擴(kuò)的程度，溝槽深度為2.8um，深入到epi1層內(nèi)部，溝槽底部為厚氧化層，并且厚氧化層從底部厚度逐步過渡到縱向側(cè)壁的薄氧化層。