一種改善動(dòng)態(tài)特性的屏蔽柵的MOSFET結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202122114420.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN216597597U | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-05-24 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN216597597U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-05-24 |
| 分類號(hào) | H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 劉秀梅;劉鋒;殷允超;周祥瑞;費(fèi)國(guó)芬 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 捷捷微電（無(wú)錫）科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 無(wú)錫科嘉知信專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 214000江蘇省無(wú)錫市新吳區(qū)菱湖大道200號(hào)中國(guó)傳感網(wǎng)國(guó)際創(chuàng)新園B-221 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型涉及一種改善動(dòng)態(tài)特性的屏蔽柵的MOSFET結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體基板，半導(dǎo)體基板包括第一導(dǎo)電類型外延層及設(shè)置在其內(nèi)部的溝槽，溝槽上部分包括柵極多晶硅以及柵氧化層，下部分包括屏蔽柵多晶硅及厚氧化層，在柵極多晶硅和屏蔽柵多晶硅間設(shè)有第一浮空多晶硅，第一浮空多晶硅通過(guò)氧化層分別與柵極多晶硅、屏蔽柵多晶硅間隔離，和/或在柵極多晶硅和源極金屬間設(shè)有第二浮空多晶硅，第二浮空多晶硅通過(guò)氧化層與柵極多晶硅隔離，通過(guò)絕緣介質(zhì)層與源極金屬隔離，源極金屬與屏蔽柵多晶硅歐姆接觸；本實(shí)用新型通過(guò)在柵極和源極間設(shè)置浮空多晶硅，能屏蔽柵極與源極之間的寄生電容Cgs，降低輸入電容Ciss，進(jìn)而降低開(kāi)關(guān)損耗，同時(shí)改善IGSS漏電過(guò)大的問(wèn)題。 |
