一種改善動態(tài)特性的屏蔽柵的MOSFET結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122114420.0 申請日 -
公開（公告）號 CN216597597U 公開（公告）日 2022-05-24
申請公布號 CN216597597U 申請公布日 2022-05-24
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉秀梅;劉鋒;殷允超;周祥瑞;費國芬 申請（專利權(quán)）人 捷捷微電（無錫）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫科嘉知信專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園B-221
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型涉及一種改善動態(tài)特性的屏蔽柵的MOSFET結(jié)構(gòu)，包括半導(dǎo)體基板，半導(dǎo)體基板包括第一導(dǎo)電類型外延層及設(shè)置在其內(nèi)部的溝槽，溝槽上部分包括柵極多晶硅以及柵氧化層，下部分包括屏蔽柵多晶硅及厚氧化層，在柵極多晶硅和屏蔽柵多晶硅間設(shè)有第一浮空多晶硅，第一浮空多晶硅通過氧化層分別與柵極多晶硅、屏蔽柵多晶硅間隔離，和/或在柵極多晶硅和源極金屬間設(shè)有第二浮空多晶硅，第二浮空多晶硅通過氧化層與柵極多晶硅隔離，通過絕緣介質(zhì)層與源極金屬隔離，源極金屬與屏蔽柵多晶硅歐姆接觸；本實用新型通過在柵極和源極間設(shè)置浮空多晶硅，能屏蔽柵極與源極之間的寄生電容Cgs，降低輸入電容Ciss，進(jìn)而降低開關(guān)損耗，同時改善IGSS漏電過大的問題。