一種提高防靜電能力的MOSFET器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120318432.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN214279985U 公開（公告）日 2021-09-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN214279985U 申請(qǐng)公布日 2021-09-24
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 殷允超;劉鋒;費(fèi)國芬 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 捷捷微電（無錫）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫科嘉知信專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 顧翰林
地址 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號(hào)中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園B-221
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及一種提高防靜電能力的MOSFET器件，包括用于引出柵極的柵極金屬和用于引出源極的源極金屬，柵極金屬和源極金屬間設(shè)置有ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)，ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)包括多個(gè)ESD保護(hù)溝槽，多個(gè)ESD保護(hù)溝槽并列排布在柵極PAD區(qū)的四周，柵極串聯(lián)有多個(gè)柵極電阻Rg，柵極電阻Rg包括柵電阻溝槽，且多個(gè)柵極電阻溝槽設(shè)置在有源區(qū)和終端保護(hù)區(qū)間；本實(shí)用新型在現(xiàn)有帶ESD防護(hù)結(jié)構(gòu)器件的基礎(chǔ)上，在柵極串聯(lián)了柵極電阻Rg，當(dāng)柵極受到強(qiáng)靜電沖擊時(shí)，Rg電阻會(huì)使流向多晶硅二極管回路，有效保護(hù)了MOS的薄柵氧結(jié)構(gòu)，使得原有常規(guī)二極管保護(hù)回路（PN結(jié)對(duì)）發(fā)揮更大的保護(hù)作用，從而提高了器件的抗ESD能力極限，提高了器件的可靠性。