一種新型分離柵MOSFET器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111148366.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113782613A 公開（公告）日 2021-12-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN113782613A 申請(qǐng)公布日 2021-12-10
分類號(hào) H01L29/78（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉鋒;周祥瑞;殷允超 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 捷捷微電（無錫）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 無錫科嘉知信專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 顧翰林
地址 214000江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號(hào)中國傳感網(wǎng)國際創(chuàng)新園B-221
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種新型分離柵MOSFET器件，其技術(shù)方案要點(diǎn)是：包括MOSFET管，所述MOSFET管包括有底層的N+襯底，所述N+襯底的上層設(shè)有epi1層，所述epi1層的上層設(shè)有epi2層，所述epi1層和所述epi2層內(nèi)通過刻蝕硅形成溝槽，所述溝槽中有源區(qū)內(nèi)深度剛好穿透epi2層，所述溝槽中終端區(qū)內(nèi)深度穿透epi2層的深度為0.5um，所述溝槽的內(nèi)部分別淀積有第一多晶硅、第二多晶硅和第三多晶硅，所述epi2層的上層注入P型雜質(zhì)B+。本發(fā)明采用新型分離柵結(jié)構(gòu)，底部的epi1較濃，頂部的epi2較淡，有源區(qū)溝槽底部深入到epi1界面上，此處摻雜濃度比較濃，硅的雪崩臨界電場(chǎng)隨摻雜濃度增加而增加，有利于提升耐壓,以40V器件為例，RSP達(dá)到6.5mohm.mm2。