一種超高壓VDMOS集成電路芯片及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111206527.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113809161A 公開（公告）日 2022-06-24
申請(qǐng)公布號(hào) CN113809161A 申請(qǐng)公布日 2022-06-24
分類號(hào) H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉秀梅;劉鋒;殷允超;周祥瑞 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 捷捷微電（無錫）科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京神州信德知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 朱俊杰
地址 214000 江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道200號(hào)中國(guó)傳感網(wǎng)國(guó)際創(chuàng)新園B-221
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種超高壓VDMOS集成電路芯片及其制備方法，包括至少一個(gè)浮空?qǐng)霭澹?）；所述浮空?qǐng)霭澹?）具有至少三個(gè)端部。本發(fā)明通過優(yōu)化終端保護(hù)區(qū)中浮空?qǐng)霭澹?）的形貌，增長(zhǎng)了浮空?qǐng)霭澹?）的長(zhǎng)度，來增強(qiáng)終端保護(hù)區(qū)電場(chǎng)密度，提升終端保護(hù)區(qū)耐壓，進(jìn)而提升整個(gè)VDMOS集成電路芯片的可靠性。